碲化锗
...尺度器件, 由于高 K/金属栅的使用以及多栅结构的引入, 需要开发与 之兼容的应力引入技术, 在文献 [9] 中报道了使用碲化锗 (Gete) 作为应力覆盖层的适于 FINFET 器 件的应力技术.
法制备了
熔炼法制备了(Gete)85(AgSbTe2)15(简称TAGS-85)基热电材料,通过改变球磨过程中的保护气氛(空气、氩气和液氮),研究了球磨气氛对材料热电性能的影响。
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